Galliumdoping on meetod valguse indutseeritud degradatsiooni (LID) ärahoidmiseks, eriti PERC rakkudes. Ga-dopeeritud ränilaudade kasutamine päikesepatareide rakendamisel annab kindlasti parema tulemuse päikesepatareide ja PV-moodulite töös ning parandab nende pika perspektiivis usaldusväärsus.
PERC päikesepatarei skemaatiline diagramm
Ajakirjanduse avalduse kohaselt omab Shin-Etsu Chemical mitmeid patente räni kristallides sisalduva galliumdopingu ja fotogalvaaniliste (PV) elementide tootmisel galliumiga legeeritud p-tüüpi kristalliliste ränidiivlite kasutamise kohta.
On laialt teada, et päikesepatareid, mis kasutavad booriga legeeritud p-tüüpi räni vahvleid, kannatavad valguse indutseeritud degradatsiooni (LID) all. See juhtub juba esimestel tundidel, kui kristallilised p-tüüpi booriga legeeritud räni päikesepatareid on päikese käes, põhjustades toimivuse vähenemise ja muundamise efektiivsuse üldise halvenemise.
See LID on seotud boori hapnikukompleksi moodustumisega, mis toimib kahjuliku defektina ja vähendab kandja vähemuse difusiooni pikkust. Ehkki LID-i iseloomustamiseks ja leevendamiseks on tänaseks tehtud palju uuringuid, kannatavad tööstuslikud päikesepatareid endiselt erinevat tüüpi valguse poolt põhjustatud efektiivsuse kadude all.
Galliumi dopingu kasutamine LID vältimiseks
Booriga legeeritud räni jaoks on aga tööstuslik alternatiiv - galliumiga legeeritud räni. Arvatakse, et see on LID-i suhtes immuunne, eriti kui seda kasutatakse PERC-rakkudes.
2019. aasta oktoobris anti Hiinas asuvale ettevõttele JA Solar intellektuaalomandi õigused oma gallium-dopingutehnoloogia eest, mida kasutatakse fotogalvaaniliste elementide tootmisel. JA Solar selgitas, et selle patenteeritud tehnoloogia suudab tõhusalt leevendada p-tüüpi räniplokkidega kokku pandud PV-moodulite LID-efekti.
GG quot; Ga-dopeeritud ränilaudade kasutamine päikesepatareide rakendamisel annab kindlasti parema tulemuse päikesepatareide ja PV-moodulite töös ning parandab nende pikaajalist töökindlust, »ütles esimees ja juhatuse liige Jin Baofang.
Ettevõttel on ka mitu patenti räni kristallides sisalduva galliumdopingu ja galliumiga legeeritud p-tüüpi kristalliliste ränidiiblite kasutamise kohta PV-rakkude tootmisel.
Ga legeeritud räni päikeseklaas
Ga legeeritud räni päikeseklaas 210mm M12 G12
Ga legeeritud ränist päikeseplaat 166mm M6
Ga legeeritud räni päikeseklaas 161,7 mm M4
Ga legeeritud räni päikeseklaas 158,75 mm G1 täisruut
Ga legeeritud räni päikeseklaas 156,75 mm M2
