315W HJT päikese-pv paneel

Heterojunktsioonitehnoloogiat (HJT) kasutavad fotogalvaanilised süsteemid ületavad kõiki teisi fotoelektrilisi süsteeme, mis aitavad fotoelektrilistel elektrisüsteemidel ellu jääda ilma soodustariifideta ja olla konkurentsivõimelised võrgu elektrikuludega. Selle perekonna päikesepaneeli põhijooned 1. On väga tõhus ja toodab rohkem energiat ruutmeetri kohta mõõturiga kui tavalised kõrge efektiivsusega rakud (20% rohkem efektiivsust kui tüüpiline monorakk). 2. Tagab suurema efektiivsuse ja tagab suurema väljundi isegi kõrgetel temperatuuridel (palju madalam temperatuurikoefitsient võrreldes tüüpilise monorakuga).

Share to

 Toote tutvustus
rakk	Mono 156.75mm HJT bifacial
Ei. rakkudest	60(6×10)
Nimi maksimaalne võimsus(Pmax)	320W
Ristmiku kast	IP68
Maksimaalne süsteemi pinge	1000V/1500V DC(IEC)
Töötemperatuur	-40°C~+85°C
Mõõtmed	1658mm×992mm×5mm
kaal	20kg±3%

 Toote kirjeldus

Selle perekonna päikesepaneeli põhijooned

1. On väga tõhus ja toodab rohkem energiat ruutmeetri kohta

mõõturiga kui tavalised kõrge efektiivsusega rakud (20% rohkem efektiivsust kui tüüpiline monorakk).

2. Tagab suurema efektiivsuse ja tagab suurema väljundi

isegi kõrgetel temperatuuridel (palju madalam temperatuurikoefitsient võrreldes tüüpilise monorakuga).

Bifacial BIPV HJT päikesepaneel saavutab suure võimsuse 320W.

Kompaktne ja kerge kahe klaasiga moodul 2,0mm karastatud klaasiga töötati edukalt välja 2014. aastal. Nüüd saab toota õhemat, kergemat kaheklaasilist moodulit, millel on 1,6mm karastatud klaas, mis on kapseldatud kõrge efektiivsusega HJT päikesepatareiga. Materjali ja struktuuri omaduste tõttu väldib kaheklaasiline moodul põhimõtteliselt defekte nagu PID, elementide mikropraod ja tigujälg (mis võib vähendada elektrijaamade investeerimiskulusid, transpordikulusid ja tööriski jne).

60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel R

1 PÕHIOMADUSED

2 MEHAANILISED SKEEMID

Dimension of 60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel 300250

3 ELEKTRILISED PARAMEETRID STC-s

Nimi maksimaalne võimsus(Pmax) [W]	305	310	315	320
Avatud vooluahela pinge(Voc) [V]	39.85	40.15	40.46	40.86
Maksimaalne võimsuspinge(Vmp) [V]	33.23	33.59	33.92	34.25
Lühisevool(Isc) [A]	9.73	9.77	9.84	9.89
Maksimaalne võimsusvool(imp) [A]	9.18	9.23	9.29	9.35
Mooduli tõhusus [%]	18.5	18.8	19.2	19.5
Võimsuse tolerantsus	0~+5W
Isc temperatuurikoefitsient(α_Isc)	0,048%/°C
Lenduvate orgaaniliste ühendite temperatuurikoefitsient(β_Voc)	-0,271%/°C
Pmax(γ_Pmp) temperatuurikoefitsient	-0,336%/°C
Stc	Kiiritus 1000W/m², raku temperatuur 25°C, AM1.5G