Topeltklaasist HJT päikesepaneel

Toote tutvustus:

Uus bifatsiaalne HJT moodul peab kasutama päikesepatareisid, mille muundamise efektiivsus on umbes 23%, suurepärase jõudlusega nõrga valguse korral, juhtiva võimsustemperatuuri koefitsiendiga -0,33% / ℃ ja eriti madala lagunemisega N-tüüpi ränivahvli substraatidega. Moodulil on ka efektiivsuse tõus vahemikus 8% -20% bifaatsuse tõttu, sõltuvalt albedo pinnast, mis peegeldab valgust tagaküljele. Bifacial BIPV HJT päikesepaneel saavutab suure võimsuse 320W. Materjali tõttu ja struktuuri omadused, topeltklaasmoodul väldib põhimõtteliselt selliseid defekte nagu PID, rakkude mikropraod ja teod, mis võivad vähendada investeerimiskulusid, transpordikulusid ja elektrijaamade tööriski jne.

Küsi pakkumist

Räägime nüüd

Kirjeldus

Tehnilised parameetrid

【Toote tutvustus】
Kamber	Mustvalge 156,75 mm HJT kahepoolne
Lahtrite arv	60（6×10）
Maksimaalne nimivõimsus (Pmax)	320W
Harukarp	IP68
Maksimaalne süsteemi pinge	1000 V / 1500 V alalisvool (IEC)
Töötemperatuur	-40℃～+85℃
Mõõtmed	1658mm × 992mm × 5mm
Kaal	20kg ± 3%

【Tootekirjeldus】

Bifacial BIPV HJT päikesepaneel saavutab suure võimsuse 320W.

Materjali ja struktuuri omaduste tõttu väldib topeltklaasmoodul põhimõtteliselt selliseid defekte nagu PID, rakkude mikropraod ja teod, mis võivad vähendada investeerimiskulusid, transpordikulusid ja elektrijaamade tööriski jne.

60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel R

1 PEAMISED OMADUSED

2 mehaanilist skeemi

Dimension of 60 cells 320W dual glass HJT solar pv panel 300250

3 elektriparameetrit STC-s

Maksimaalne nimivõimsus (Pmax) [W]	305	310	315	320
Avatud vooluahela pinge (Voc) [V]	39.85	40.15	40.46	40.86
Maksimaalne toitepinge (Vmp) [V]	33.23	33.59	33.92	34.25
Lühisvool (Isc) [A]	9.73	9.77	9.84	9.89
Maksimaalne voolutugevus (imp) [A]	9.18	9.23	9.29	9.35
Mooduli efektiivsus [%]	18.5	18.8	19.2	19.5
Võimsustolerants	0~+5W
Isc temperatuuri koefitsient (α_Isc)	0.048%/℃
Voc temperatuuri koefitsient (β_Voc)	-0.271%/℃
Pmax temperatuuri koefitsient (γ_Pmp)	-0.336%/℃
STC	Kiirgustihedus 1000W / m², raku temperatuur 25 ℃, AM1,5G

Päikese fotogalvaaniline süsteem, tuntud ka kui fotogalvaaniline, viitab fotogalvaaniliste pooljuhtmaterjalide fotogalvaanilisele mõjule ja päikeseenergia alalisvooluseadmetesse. Fotogalvaanilise rajatise keskmes on päikesepaneelid. Praegu on peamisteks elektritootmiseks kasutatavateks pooljuhtmaterjalideks monokristalliline räni, polükristalliline räni, amorfne räni ja kaadmiumtelluriid jne.

certification -1.jpg