Toodete tutvustus
Poolisoleerivad SiC substraadid pakuvad suurt takistust ja suurepäraseid termilisi omadusi, muutes need sobivaks GaN heteroepitaksiaalseks kasvuks ja kõrgsageduslike RF-pooljuhtide rakenduste jaoks. Suure jõudlusega-SiC substraat, kasutatakse seda laialdaselt HEMT{0}}põhiste seadmete jaoks täiustatud sidesüsteemides, sealhulgas 5G infrastruktuuris.
Need pool{0}}isoleerivadSiC vahvlidpakuvad ka suurepäraseid optilisi ja materjaliomadusi, toetades uusi rakendusi optoelektroonikas ja kantavas elektroonikas. . 12-tollised SiC substraadid pakuvad potentsiaali järgmise-põlvkonna rakenduste jaoks, nagu AR-prillid ja muud täiustatud optilised seadmed.
Tehnilised andmed
| 6-tolline | |
|---|---|
| Läbimõõt | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Pinna orientatsioon | {0001}±0,2 kraadi |
| Esmane tasapinnaline orientatsioon | / |
| Sekundaarne tasapinnaline orientatsioon | / |
| Esmane tasapinnaline pikkus | Sälk |
| Sekundaarne tasane pikkus | Mitte ühtegi |
| Sälgu orientatsioon | <1100>±1,0 kraadi |
| Sälgu sügavus | Puudub1mm{1}}mm/-0mm servast |
| Sälgu nurk | 90 kraadi +5 kraadi /-1 kraadi |
| Paksus | 500,0 um ± 25,0 um |
| Tüüp | Pool{0}}isoleeriv |
| 8-tolline | |
|---|---|
| Läbimõõt | 200,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Pinna orientatsioon | {0001}±0,2 kraadi |
| Esmane tasapinnaline orientatsioon | / |
| Sekundaarne tasapinnaline orientatsioon | / |
| Esmane tasapinnaline pikkus | Sälk |
| Sekundaarne tasane pikkus | Mitte ühtegi |
| Sälgu orientatsioon | <1100>±1,0 kraadi |
| Sälgu sügavus | Puudub1mm{1}}mm/-0mm servast |
| Sälgu nurk | 90 kraadi +5 kraadi /-1 kraadi |
| Paksus | 500,0 um ± 25,0 um |
| Tüüp | Pool{0}}isoleeriv |
| 12-tolline | |
|---|---|
| Läbimõõt | 300,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Pinna orientatsioon | {0001}±0,5 kraadi |
| Esmane tasapinnaline orientatsioon | / |
| Sekundaarne tasapinnaline orientatsioon | / |
| Esmane tasapinnaline pikkus | Sälk |
| Sekundaarne tasane pikkus | Mitte ühtegi |
| Sälgu orientatsioon | <1100>±5,0 kraadi |
| Sälgu sügavus | Puudub1mm{1}}mm/-0mm servast |
| Sälgu nurk | 90 kraadi +5 kraadi /-1 kraadi |
| Paksus | 750,0 um ± 25,0 um |
| Tüüp | Pool{0}}isoleeriv |
tunnistus
Kuum tags: 4H Semi{1}}Isolating SiC vahvel, Hiina, tarnijad, tootjad, tehas, valmistatud Hiinas
