N Tüüp Täisruuduline monokristalne päikesevahvel

N Tüüp Täisruuduline monokristalne päikesevahvel

Fotogalvaaniliselt fotoelektriliste toodete tööstuses toimub üleminek pseudoruudult 156,75x156,75mm M2 suurematele plaatide mõõtudele täisruudu 158,75x158,75mm ja see hõlmab p-tüüpi ja n-tüüpi mono-Si vahvleid. Tipptasemel Full Square Mono vahvlid on maksimeerinud valguse kokkupuudet multivahvli sama tasemega, laiendades ruudukujulist mõõtu. Plaadid on alati täielikult ruudukujulised, nii et need sobivad fotoelektrilise mooduliga optimaalselt.
Share to
Küsi pakkumist
Räägime nüüd
Kirjeldus
Tehnilised parameetrid

CZ silicon crystal growth


158.75mm full square monocrystalline solar wafer


Fotogalvaaniliselt saadud päikeseenergia tööstuses tuleb plaatide tehnoloogia üleminek pseudoväljakult156.75x156.75mm M2 suurematele plaatide mõõtudele täisruudu 158,75x158,75mm ja see hõlmab p-tüüpi ja n-tüüpi mono-Si vahvleid.

Tipptasemel Full Square Mono vahvlid on maksimeerinud valguse kokkupuudet multivahvli sama tasemega, laiendades ruudukujulist mõõtu. Plaadid on alati täielikult ruudukujulised, nii et need sobivad fotoelektrilise mooduliga optimaalselt. 

 

1      Materjali omadused

 

vara

Spetsifikatsioon

Inspekteerimismeetod

Kasvumeetod

Cz


Kristallilisus

Monokristalne

Soodusetchi tehnikad(ASTM F47-88)

Juhtivuse tüüp

N-tüüp

Napson EC-80TPN

Dopant

fosfor

-

Hapniku kontsentratsioon[Oi]

≦8E+17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Süsiniku kontsentratsioon[Cs]

≦5E+16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Etch augu tihedus(dislokatsiooni tihedus)

≦500 cm-3

Soodusetchi tehnikad(ASTM F47-88)

Pinna orientatsioon

<100>±3°

Röntgendifraktsiooni meetod (ASTM F26-1987)

Pseudoruuduliste külgede orientatsioon

<010>,<001>±3°

Röntgendifraktsiooni meetod (ASTM F26-1987)

 

2      Elektrilised omadused

 

vara

Spetsifikatsioon

Inspekteerimismeetod

Vastupanu

0,3-2,1 Ω,cm

1,0-7,0 Ω,cm

Vahvlikontrollisüsteem

MCLT (vähemuskandja eluiga)

≧1000 μs(Resistivity 0,3-2,1 Ω.cm)
≧500 μsVastupanu1,0-7,0 Ω,cm)

Sintoni mööduv

 

3      geomeetria

 


vara

Spetsifikatsioon

Inspekteerimismeetod

geomeetria

Täisruut


Vahvli külje pikkus

158.75±0.25 mm

plaatide kontrollimise süsteem

Vahvli läbimõõt

φ223±0,25 mm

plaatide kontrollimise süsteem

Nurk külgnevate külgede vahel

90° ± 0,2°

plaatide kontrollimise süsteem

Paksus

180﹢20/﹣10 μm;

170﹢20/﹣10 μm

plaatide kontrollimise süsteem

TTV (kogupaksuse variatsioon)

≤27 μm

plaatide kontrollimise süsteem



 image



4      Pinna omadused

 

vara

Spetsifikatsioon

Inspekteerimismeetod

Lõikamismeetod

Dw

--

Pinna kvaliteet

lõikamise ja puhastamisena ei ole nähtav saastumine (õli või rasv, sõrmejäljed, seebiplekid, lägaplekid, epoksü-/liimiplekid ei ole lubatud)

plaatide kontrollimise süsteem

Saemärgid / astmed

≤ 15μm

plaatide kontrollimise süsteem

vibu

≤ 40 μm

plaatide kontrollimise süsteem

Sulatada

≤ 40 μm

plaatide kontrollimise süsteem

Chip

sügavus ≤0,3mm ja pikkus ≤ 0,5mm Max 2/tk;   V-kiip puudub

Paljad silmad või vahvlikontrollisüsteem

Mikropraod / augud

Pole lubatud

plaatide kontrollimise süsteem




Kuum tags: n tüüp täisruuduline monokristalne päikesevahvel, Hiina, tarnijad, tootjad, tehas, valmistatud Hiinas

Küsi pakkumist
Küsi pakkumist