N-tüüpi 166 mm M6 HJT päikesepatarei

N-tüüpi 166 mm M6 HJT päikesepatarei

Silicon Heterojunction Technology (HJT) põhineb emitteril ja tagapinna väljal (BSF), mis tekivad üliõhukeste amorfse räni (a-Si:H) kihtide madalal temperatuuril kasvamisel väga hästi puhastatud monokristalliliste räniplaatide mõlemal küljel. , paksusega alla 160 μm ja efektiivsusega 6,69 vatti elemendi kohta 24,4 protsenti.
Share to
Küsi pakkumist
Räägime nüüd
Kirjeldus
Tehnilised parameetrid

【Tootekirjeldus】

Silicon Heterojunction Technology (HJT) põhineb emitteril ja tagapinna väljal (BSF), mis tekivad üliõhukeste amorfse räni (a-Si:H) kihtide madalal temperatuuril kasvamisel väga hästi puhastatud monokristalliliste räniplaatide mõlemal küljel. , paksusega alla 160 μm, kus fotogenereeritakse elektronid ja augud.


 HJT solar cell structure 400     Profile2

 

                                       

【Protsessi kulg】


Process flow A black

 

【Põhijooned】

Kõrge Eff ja kõrge Voc

Madala temperatuuri koefitsient 5-8 protsenti väljundvõimsuse võimendust

Bifatsiaalsed struktuurid

 

【Põhijooned】

Kõrge kasutegur ja kõrge helitugevus

Madala temperatuuri koefitsient 5-8 protsenti väljundvõimsuse võimendust

Bifatsiaalsed struktuurid

 

【Tehnilised andmed】

TEHNILISED ANDMED JA DISAIN


TEMPERATUURIKOEFITSIENDID JA JOODETAVUS

Mõõtmed

166mm*166mm±0.25


TkUoc ( protsenti / K)

-0.192

Paksus

150 pluss 20 μm/-10 μm


TkIsc ( protsenti / K)

pluss 0.035

Esiosa

9×0,1 mm Keevituspunkti tüüpi esielektrood


TkPMAX ( protsenti / K)

-0.236

tagasi

9×0,1 mm Keevituspunkti tüüpi tagaelektrood


Koorimise tugevus miinimum

>1,4N/mm


ELEKTRIPARAMEETRID STC-s

Ei.

Tõhusus ( protsenti )

Pmpp (W)

Uoc (V)

Isc (A)

Umpp (V)

Näid (A)

FF ( protsenti)

1

24.40

6.69

0.746

10.758

0.644

10.386

83.35

2

24.30

6.66

0.746

10.754

0.644

10.352

83.10

3

24.20

6.63

0.745

10.750

0.643

10.318

82.84

4

24.10

6.61

0.745

10.745

0.643

10.282

82.56

5

24.00

6.58

0.744

10.740

0.642

10.245

82.27

6

23.90

6.55

0.744

10.728

0.642

10.210

82.06

7

23.80

6.52

0.744

10.716

0.641

10.175

81.84

8

23.70

6.50

0.744

10.683

0.642

10.124

81.76

9

23.60

6.47

0.744

10.649

0.642

10.072

81.67

10

23.50

6.44

0.743

10.628

0.640

10.072

81.64

11

23.40

6.41

0.741

10.607

0.637

10.072

81.61

12

23.30

6.39

0.741

10.602

0.635

10.058

81.35

13

23.20

6.36

0.740

10.596

0.633

10.043

81.09

14

23.10

6.34

0.741

10.563

0.635

9.979

80.88

15

23.00

6.31

0.742

10.530

0.636

9.914

80.67

16

22.90

6.28

0.742

10.504

0.635

9.890

80.57

17

22.80

6.25

0.742

10.477

0.634

9.865

80.46

18

22.70

6.23

0.741

10.488

0.632

9.850

80.18

19

22.60

6.20

0.739

10.499

0.630

9.834

79.89

20

22.50

6.17

0.738

10.496

0.629

9.809

79.72

21

22.40

6.14

0.736

10.493

0.628

9.784

79.54

  

【Spektraalvastus】

 

Spectral Response 4



【Intensiivsuse sõltuvus】


Intensity Dependence 4

  



Kuum tags: n-tüüpi 166 mm m6 hjt päikesepatarei, Hiina, tarnijad, tootjad, tehas, valmistatud Hiinas

Küsi pakkumist
Küsi pakkumist