N-tüüpi 210 mm M12 HJT päikesepatarei

N-tüüpi 210 mm M12 HJT päikesepatarei

210 mm M12 Silicon Heterojunction Technology (HJT) päikesepatarei kasutegur on 24,4 protsenti ja nimivõimsus 10,76 vatti elemendi kohta.
Share to
Küsi pakkumist
Kirjeldus
Tehnilised parameetrid

【Tootekirjeldus】

Silicon Heterojunction Technology (HJT) põhineb emitteril ja tagapinna väljal (BSF), mis tekivad üliõhukeste amorfse räni (a-Si:H) kihtide madalal temperatuuril kasvamisel väga hästi puhastatud monokristalliliste räniplaatide mõlemal küljel. , paksusega alla 160 μm, kus fotogenereeritakse elektronid ja augud.


Heteroühendustehnoloogia (HJT) räni päikesepatareid on pälvinud palju tähelepanu, kuna need võivad saavutada kõrge konversiooniefektiivsuse, kuni 25 protsenti, kasutades samal ajal töötlemist madalal temperatuuril, tavaliselt alla 250 kraadi kogu protsessi jaoks. Madal töötlemistemperatuur võimaldab käsitseda alla 100 μm paksuseid räniplaate, säilitades samal ajal suure saagise.


 HJT solar cell structure 400     Profile2

 

                                       

【Protsessi kulg】


Process flow A black

 

【Põhijooned】

Kõrge Eff ja kõrge Voc

Madala temperatuuri koefitsient 5-8 protsenti väljundvõimsuse võimendust

Bifatsiaalsed struktuurid

 

 

【Tehnilised andmed】

TEHNILISED ANDMED JA DISAIN


TEMPERATUURIKOEFITSIENDID JA JOODETAVUS

Mõõtmed

210mm*210 mm±0,25


TkUoc ( protsenti / K)

-0.27

Paksus

150 pluss 20 μm/-10 μm


TkIsc  ( protsenti /K)

pluss 0.055

Esiosa

12*0,06 mm siinid (hõbedane), 54 sõrmega (hõbedane)


TkPMAX  ( protsenti /K)

-0.26

tagasi

12*0,06 mm siinid (hõbedane),74 sõrme (hõbedane)


Koorimise tugevus miinimum

>1 N/mm

 

ELEKTRIPARAMEETRID STC-s

Ei.

Tõhusus ( protsenti )

Pmpp (W)

Uoc (V)

Isc (A)

Umpp (V)

Näid (A)

FF ( protsenti)

1

24.4

10.76

0.653

16.482

0.749

17.142

83.83

2

24.3

10.72

0.652

16.436

0.748

17.116

83.70

3

24.2

10.68

0.651

16.392

0.748

17.092

83.50

4

24.1

10.62

0.650

16.350

0.747

17.054

83.38

5

24.0

10.58

0.649

16.306

0.747

17.048

83.11

6

23.9

10.54

0.647

16.300

0.747

17.030

82.90

7

23.8

10.50

0.646

16.258

0.746

17.000

82.75

8

23.7

10.46

0.644

16.220

0.746

16.974

82.59

9

23.6

10.40

0.643

16.184

0.745

16.964

82.34

10

23.5

10.36

0.642

16.152

0.745

16.956

82.02

11

23.4

10.32

0.640

16.120

0.745

16.948

81.76

12

23.3

10.28

0.638

16.094

0.744

16.946

81.46

13

23.2

10.24

0.636

16.092

0.744

16.938

81.20

14

23.1

10.18

0.634

16.062

0.743

16.922

80.97

15

23.0

10.14

0.633

16.022

0.743

16.916

80.69

16

22.9

10.10

0.631

16.004

0.743

16.916

80.39

17

22.8

10.06

0.630

15.958

0.742

16.910

80.11

18

22.7

10.00

0.629

15.914

0.742

16.904

79.86

19

22.6

9.96

0.628

15.860

0.741

16.900

79.58


【Spektraalvastus】

 

Spectral Response 4


【Intensiivsuse sõltuvus】


Intensity Dependence 4

  

  



Kuum tags: n-tüüpi 210 mm m12 hjt päikesepatarei, Hiina, tarnijad, tootjad, tehas, valmistatud Hiinas

Küsi pakkumist
Küsi pakkumist