【Tootekirjeldus】
Silicon Heterojunction Technology (HJT) põhineb emitteril ja tagapinna väljal (BSF), mis tekivad üliõhukeste amorfse räni (a-Si:H) kihtide madalal temperatuuril kasvamisel väga hästi puhastatud monokristalliliste räniplaatide mõlemal küljel. , paksusega alla 160 μm, kus fotogenereeritakse elektronid ja augud.
Heteroühendustehnoloogia (HJT) räni päikesepatareid on pälvinud palju tähelepanu, kuna need võivad saavutada kõrge konversiooniefektiivsuse, kuni 25 protsenti, kasutades samal ajal töötlemist madalal temperatuuril, tavaliselt alla 250 kraadi kogu protsessi jaoks. Madal töötlemistemperatuur võimaldab käsitseda alla 100 μm paksuseid räniplaate, säilitades samal ajal suure saagise.

【Protsessi kulg】

【Põhijooned】
Kõrge Eff ja kõrge Voc
Madala temperatuuri koefitsient 5-8 protsenti väljundvõimsuse võimendust
Bifatsiaalsed struktuurid
【Tehnilised andmed】
TEHNILISED ANDMED JA DISAIN | TEMPERATUURIKOEFITSIENDID JA JOODETAVUS | |||
Mõõtmed | 210mm*210 mm±0,25 | TkUoc ( protsenti / K) | -0.27 | |
Paksus | 150 pluss 20 μm/-10 μm | TkIsc ( protsenti /K) | pluss 0.055 | |
Esiosa | 12*0,06 mm siinid (hõbedane), 54 sõrmega (hõbedane) | TkPMAX ( protsenti /K) | -0.26 | |
tagasi | 12*0,06 mm siinid (hõbedane),74 sõrme (hõbedane) | Koorimise tugevus miinimum | >1 N/mm | |
ELEKTRIPARAMEETRID STC-s | |||||||
Ei. | Tõhusus ( protsenti ) | Pmpp (W) | Uoc (V) | Isc (A) | Umpp (V) | Näid (A) | FF ( protsenti) |
1 | 24.4 | 10.76 | 0.653 | 16.482 | 0.749 | 17.142 | 83.83 |
2 | 24.3 | 10.72 | 0.652 | 16.436 | 0.748 | 17.116 | 83.70 |
3 | 24.2 | 10.68 | 0.651 | 16.392 | 0.748 | 17.092 | 83.50 |
4 | 24.1 | 10.62 | 0.650 | 16.350 | 0.747 | 17.054 | 83.38 |
5 | 24.0 | 10.58 | 0.649 | 16.306 | 0.747 | 17.048 | 83.11 |
6 | 23.9 | 10.54 | 0.647 | 16.300 | 0.747 | 17.030 | 82.90 |
7 | 23.8 | 10.50 | 0.646 | 16.258 | 0.746 | 17.000 | 82.75 |
8 | 23.7 | 10.46 | 0.644 | 16.220 | 0.746 | 16.974 | 82.59 |
9 | 23.6 | 10.40 | 0.643 | 16.184 | 0.745 | 16.964 | 82.34 |
10 | 23.5 | 10.36 | 0.642 | 16.152 | 0.745 | 16.956 | 82.02 |
11 | 23.4 | 10.32 | 0.640 | 16.120 | 0.745 | 16.948 | 81.76 |
12 | 23.3 | 10.28 | 0.638 | 16.094 | 0.744 | 16.946 | 81.46 |
13 | 23.2 | 10.24 | 0.636 | 16.092 | 0.744 | 16.938 | 81.20 |
14 | 23.1 | 10.18 | 0.634 | 16.062 | 0.743 | 16.922 | 80.97 |
15 | 23.0 | 10.14 | 0.633 | 16.022 | 0.743 | 16.916 | 80.69 |
16 | 22.9 | 10.10 | 0.631 | 16.004 | 0.743 | 16.916 | 80.39 |
17 | 22.8 | 10.06 | 0.630 | 15.958 | 0.742 | 16.910 | 80.11 |
18 | 22.7 | 10.00 | 0.629 | 15.914 | 0.742 | 16.904 | 79.86 |
19 | 22.6 | 9.96 | 0.628 | 15.860 | 0.741 | 16.900 | 79.58 |
【Spektraalvastus】

【Intensiivsuse sõltuvus】

Kuum tags: n-tüüpi 210 mm m12 hjt päikesepatarei, Hiina, tarnijad, tootjad, tehas, valmistatud Hiinas









